消息称三星 HBM4E 良率突破 70%，第七代 AI 内存开发进入稳定阶段

三星电子在率先实现第六代高带宽内存（HBM4）量产后，如今在第七代产品 HBM4E 以及下一代 DRAM 的研发上也取得了显著进展。三星电子首席技术官（CTO）兼半导体研发中心社长 Song Jai Hyuk 在近日的一场内部高管简报会上表示，HBM4E 的可靠性测试良率（合格品率）已提升至 70% 以上；Song Jai Hyuk 在 6 月 30 日举行的设备解决方案（DS）部门内部高管简报会上透露：“HBM4E 的可靠性测试良率已提升至 70% 以上。