SK 海力士推出 3D FeNAND 技术，瞄准 AI 计算

据韩媒 The Elec 今天报道，SK 海力士现已公布 3D FeNAND 实现模拟存内计算（Analog Compute-in-Memory，A-CiM）的研究成果，相关研究已发表于 IEEE 论文。据介绍，A-CiM 可利用模拟信号直接在存储器执行乘积累加运算，减少数据搬运、提升处理速度和能效。3D FeNAND 则利用铁电材料的极化状态存储数据并控制电流。对比之下，传统 3D NAND 采用电荷俘获氮化物（CTN）结构，将电子捕获在氮化物层中。