中国科学院半导体研究所科研人员研制出一种新型”铁电隧穿结”，利用原子层间仅埃米级（不到 1 纳米）的微小滑移，即可让开关电阻相差约 1900 万倍，并反复开关超过 1000 亿次，为开发更省电、更耐用的存储与存算一体芯片提供了新路径。新型二维滑移铁电材料依靠原子层之间极微小的错动来改变状态，几乎不磨损，能反复开关超过 1000 亿次，比传统材料耐用得多，但极化信号弱、电阻变化不明显，数据读起来费劲。此次，中国科学院半导体研究所吴江滨研究员、谭平恒研究员团队与香港大学汪涵教授团队合作，在器件中引入三种关键功能层：氮化硼像一道均匀的”薄墙”，减少漏电并提供稳定隧穿势垒。