三星电子高管预计，高带宽内存（HBM）在全球 DRAM 晶圆产能中的占比将持续攀升，对传统内存供应形成挤压，并推动整体内存价格进一步上行。Kim Taewoo 同时指出，HBM 与传统 DRAM 共用同一晶圆产能，HBM 的持续扩张将进一步压缩传统 DRAM 的供应空间。市场研究机构 TrendForce 预计，受 AI 服务器需求持续增长驱动，HBM 与传统 DRAM 对先进制程及晶圆产能的竞争将延续，叠加次世代产品良率与产出爬坡需要时间，2027 年内存市场供应料将维持偏紧态势。
三星电子高管预计，高带宽内存（HBM）在全球 DRAM 晶圆产能中的占比将持续攀升，对传统内存供应形成挤压，并推动整体内存价格进一步上行。Kim Taewoo 同时指出，HBM 与传统 DRAM 共用同一晶圆产能，HBM 的持续扩张将进一步压缩传统 DRAM 的供应空间。市场研究机构 TrendForce 预计，受 AI 服务器需求持续增长驱动，HBM 与传统 DRAM 对先进制程及晶圆产能的竞争将延续，叠加次世代产品良率与产出爬坡需要时间，2027 年内存市场供应料将维持偏紧态势。