2026 年 10 月 12 日，铭芯启睿（MemSilicon）宣布完成基于 1TnR 技术路线的首代高密度、大容量 RRAM 芯片”泰山一号（MountTai 2026）”流片。该芯片采用 28nm CMOS 工艺平台和 1T4R 单元结构，单芯片容量 1Gb，密度达到 30Mb/mm²，访问延时小于 20ns，并集成片上硬件纠错电路，在大容量、高密度与高速读取之间实现协同突破。目前”泰山一号”已完成流片，正在推进验证。
2026 年 10 月 12 日，铭芯启睿（MemSilicon）宣布完成基于 1TnR 技术路线的首代高密度、大容量 RRAM 芯片”泰山一号（MountTai 2026）”流片。该芯片采用 28nm CMOS 工艺平台和 1T4R 单元结构，单芯片容量 1Gb，密度达到 30Mb/mm²，访问延时小于 20ns，并集成片上硬件纠错电路，在大容量、高密度与高速读取之间实现协同突破。目前”泰山一号”已完成流片，正在推进验证。