湖南泰坦未来科技有限公司本月发布新闻稿，宣布推出国内首款 12 英寸多晶碳化硅衬底，瞄准 AI 芯片与先进封装的散热瓶颈。公开资料显示，12 英寸多晶碳化硅（SiC）衬底是一种直径约 300 毫米、由许多微小碳化硅晶粒构成的大尺寸陶瓷基板。该公司在新闻稿中指出，当前半导体碳化硅赛道，市场目光大多聚焦单晶 SiC 衬底，而多晶碳化硅配套材料属于行业蓝海与隐形刚需。
湖南泰坦未来科技有限公司本月发布新闻稿，宣布推出国内首款 12 英寸多晶碳化硅衬底，瞄准 AI 芯片与先进封装的散热瓶颈。公开资料显示，12 英寸多晶碳化硅（SiC）衬底是一种直径约 300 毫米、由许多微小碳化硅晶粒构成的大尺寸陶瓷基板。该公司在新闻稿中指出，当前半导体碳化硅赛道，市场目光大多聚焦单晶 SiC 衬底，而多晶碳化硅配套材料属于行业蓝海与隐形刚需。